Heute ist die Elektronikbranche im Übergang zu kompakteren und leistungsstarkeren Systemen.（“Ansas”）宣布推出其最新的高性能MOSFET ”AG470N100LT” TOLT-Verpackungen, die den schnell wachsenden Bedürfnissen des Elektronikmarktes gerecht werden sollen。
Das neue MOSFET verfügt über die SGT-Chiptechnologie (Split Gate Trench), die eine hohe Effizienz, hohe Spannungskompatenzen und ein ausgezeichnetes Wärmemanagement durch eine Reduzierung des Leitwiderstands und eine verbesserte Schaltleistung für eine Vielzahl von Hochfrequenz- und Hochspannungsanwendungen ermöglicht.
Die TOLT-Pakete bieten strenge formspezifische Toleranzen und die Stifte werden mit negativen Abständen realisiert, um eine optimierte Wärmestaplung zu unterstützen, die für eine gute Wärmeleitung von entscheidender Bedeutung ist. Die exponierten PADs in der TOLT-Verpackung verfügen über eine spezielle Oberflächenbehandlung, die eine verbesserte thermische Leistung unterstützt.
Über Ansas
Die Suzhou Ansas Semiconductor Co., LTD ist auf die Entwicklung und Herstellung von diskreten Halbleiterbauelementen spezialisiert – darunter leistungsstarke Gleichrichter, Schnellrücklaufdioden (FRD), Schutzdioden sowie Silizium- und Siliziumkarbid-Schottky-Dioden.
Unser Unternehmen ist ISO-zertifiziert und produziert nach den Qualitätsstandards der IATF 16949.
Getreu unserem Leitsatz „Advancing Excellence in Power Semiconductors“ liefern wir hochwertige und innovative Produkte für die Automobilindustrie, industrielle Anwendungen, Medizintechnik und den Consumer-Bereich.
Dank unserer technischen Expertise und hohen Flexibilität bieten wir maßgeschneiderte Lösungen und den bestmöglichen Support für die individuellen Anforderungen unserer Kunden.
Erfahren Sie mehr über Ansas unter: www.ansas-semi.com.
